三星內存技術突然落后！決定中斷12nm DRAM芯片開發：直上11nm

　　三星不僅是世界第一大DRAM內存芯片供應商，技術水平也是最先進。

　　據BusinessKorea，三星要求研發人員停止1b工藝DRAM芯片的開發，也就是跳過12nm，直接跨代到1c，即11nm。

　　三星設定了非常激進的目標，即在今年6月完成并凍結11nm、第六代DRAM芯片的開發工作。

　　此前的說法是三星1b(12nm)DRAM芯片遇到困難，搞不定。不過就最新的報道來看，似乎并非如此，當然，最終實情如何，還得拿實物量產說話。

　　報道指出，三星此舉目的在于重新拉開與競爭對手SK海力士、美光的技術差距，其原因在于1a DRAM芯片量產上，三星實際上落后于競爭對手。

　　事實上，這并非三星第一次在DRAM芯片上計劃“彎道超車”，當年對手都在搞28nm DRAM時，三星聚焦更先進的25nm工藝，結果高風險最終促成高收益。